casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FCP7N60_F080
codice articolo del costruttore | FCP7N60_F080 |
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Numero di parte futuro | FT-FCP7N60_F080 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperFET™ |
FCP7N60_F080 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCP7N60_F080 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FCP7N60_F080-FT |
FQP9P25
ON Semiconductor
FQP34N20
ON Semiconductor
FCP150N65F
ON Semiconductor
FCP165N60E
ON Semiconductor
FCP190N65S3
ON Semiconductor
FCP9N60N
ON Semiconductor
FDP038AN06A0
ON Semiconductor
FDP42AN15A0
ON Semiconductor
FDP5N60NZ
ON Semiconductor
FCP20N60
ON Semiconductor
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
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EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel