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ON Semiconductor FCP190N65S3

Numero parte MFG
FCP190N65S3
quantità disponibile
62290 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 2.264
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
SuperFET® III MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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FCP190N65S3 specificazioni

codice articolo del costruttore FCP190N65S3
Numero di parte futuro FT-FCP190N65S3
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie SuperFET® III
FCP190N65S3 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 400V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 144W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-3
Pacchetto / caso TO-220-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCP190N65S3 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio FCP190N65S3-FT

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