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ON Semiconductor FCP165N60E

Name: FCP165N60E
Brand: ON Semiconductor
SKU: FCP165N60E
Price: 3.536 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (261 reviews)

Numero parte MFG: FCP165N60E

quantità disponibile: 89260 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 3.536

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: SuperFET® II MOSFET N-CH 600V 23A TO220

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FCP165N60E.pdf

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FCP165N60E specificazioni

codice articolo del costruttore	FCP165N60E
Numero di parte futuro	FT-FCP165N60E
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	SuperFET® II
FCP165N60E Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	23A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	165 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	75nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2434pF @ 380V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	227W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220-3
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCP165N60E Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FCP165N60E-FT

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