casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FCP400N80Z
codice articolo del costruttore | FCP400N80Z |
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Numero di parte futuro | FT-FCP400N80Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperFET® II |
FCP400N80Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2350pF @ 1000V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 195W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCP400N80Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FCP400N80Z-FT |
HUF75639P3
ON Semiconductor
FQP9P25
ON Semiconductor
FQP34N20
ON Semiconductor
FCP150N65F
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FCP165N60E
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FCP190N65S3
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FCP9N60N
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FDP038AN06A0
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FDP42AN15A0
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FDP5N60NZ
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A3PN015-1QNG68I
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A1415A-PQ100I
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M2GL025S-1VF400I
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A10V20B-PL68C
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EP4S100G3F45I3N
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XC4028XL-09HQ208C
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XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
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