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ON Semiconductor FCD850N80Z

Name: FCD850N80Z
Brand: ON Semiconductor
SKU: FCD850N80Z
Price: 0.8708 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (95 reviews)

Numero parte MFG: FCD850N80Z

quantità disponibile: 98140 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.8708

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: SuperFET® II MOSFET N-CH 800V 6A DPAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FCD850N80Z.pdf

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FCD850N80Z specificazioni

codice articolo del costruttore	FCD850N80Z
Numero di parte futuro	FT-FCD850N80Z
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	SuperFET® II
FCD850N80Z Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	850 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 600µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1315pF @ 100V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	75W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DPAK
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCD850N80Z Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FCD850N80Z-FT

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