casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BTS282Z E3180A
codice articolo del costruttore | BTS282Z E3180A |
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Numero di parte futuro | FT-BTS282Z E3180A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TEMPFET® |
BTS282Z E3180A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 49V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 36A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 240µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 232nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 25V |
Caratteristica FET | Temperature Sensing Diode |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-7-180 |
Pacchetto / caso | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BTS282Z E3180A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BTS282Z E3180A-FT |
ZVN2535ASTOB
Diodes Incorporated
ZVN2535ASTZ
Diodes Incorporated
ZVN3306ASTOA
Diodes Incorporated
ZVN3306ASTOB
Diodes Incorporated
ZVN3310ASTOA
Diodes Incorporated
ZVN3310ASTOB
Diodes Incorporated
ZVN3320ASTOB
Diodes Incorporated
ZVN3320ASTZ
Diodes Incorporated
ZVN4206ASTOA
Diodes Incorporated
ZVN4206ASTOB
Diodes Incorporated
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation