casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BTS282Z E3180A
codice articolo del costruttore | BTS282Z E3180A |
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Numero di parte futuro | FT-BTS282Z E3180A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TEMPFET® |
BTS282Z E3180A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 49V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 36A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 240µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 232nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 25V |
Caratteristica FET | Temperature Sensing Diode |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-7-180 |
Pacchetto / caso | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BTS282Z E3180A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BTS282Z E3180A-FT |
ZVN2535ASTOB
Diodes Incorporated
ZVN2535ASTZ
Diodes Incorporated
ZVN3306ASTOA
Diodes Incorporated
ZVN3306ASTOB
Diodes Incorporated
ZVN3310ASTOA
Diodes Incorporated
ZVN3310ASTOB
Diodes Incorporated
ZVN3320ASTOB
Diodes Incorporated
ZVN3320ASTZ
Diodes Incorporated
ZVN4206ASTOA
Diodes Incorporated
ZVN4206ASTOB
Diodes Incorporated
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel