casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BTS282Z E3180A
codice articolo del costruttore | BTS282Z E3180A |
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Numero di parte futuro | FT-BTS282Z E3180A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TEMPFET® |
BTS282Z E3180A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 49V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 36A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 240µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 232nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 25V |
Caratteristica FET | Temperature Sensing Diode |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-7-180 |
Pacchetto / caso | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BTS282Z E3180A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BTS282Z E3180A-FT |
ZVN2535ASTOB
Diodes Incorporated
ZVN2535ASTZ
Diodes Incorporated
ZVN3306ASTOA
Diodes Incorporated
ZVN3306ASTOB
Diodes Incorporated
ZVN3310ASTOA
Diodes Incorporated
ZVN3310ASTOB
Diodes Incorporated
ZVN3320ASTOB
Diodes Incorporated
ZVN3320ASTZ
Diodes Incorporated
ZVN4206ASTOA
Diodes Incorporated
ZVN4206ASTOB
Diodes Incorporated
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel