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ON Semiconductor FDD6N20TM

Numero parte MFG
FDD6N20TM
quantità disponibile
36990 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.285152
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Data di spedizione
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
UniFET™ MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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FDD6N20TM specificazioni

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Numero di parte futuro FT-FDD6N20TM
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie UniFET™
FDD6N20TM Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D-Pak
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDD6N20TM Peso Contattaci
Numero parte di ricambio FDD6N20TM-FT

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