casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FCD360N65S3R0
codice articolo del costruttore | FCD360N65S3R0 |
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Numero di parte futuro | FT-FCD360N65S3R0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperFET® III |
FCD360N65S3R0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 730pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-PAK (TO-252) |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCD360N65S3R0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FCD360N65S3R0-FT |
NTJS4151PT1G
ON Semiconductor
NTJS3151PT2G
ON Semiconductor
NTJS3157NT1G
ON Semiconductor
NTJS3151PT2
ON Semiconductor
NTJS3157NT2
ON Semiconductor
NTJS3157NT2G
ON Semiconductor
NTJS3157NT4
ON Semiconductor
NTJS3157NT4G
ON Semiconductor
NTJS4151PT1
ON Semiconductor
NTJS4160NT1G
ON Semiconductor
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel