casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTJS4160NT1G
codice articolo del costruttore | NTJS4160NT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NTJS4160NT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTJS4160NT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.8A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 2.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.75nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTJS4160NT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTJS4160NT1G-FT |
NTR4101PT1H
ON Semiconductor
NTR4501NST1G
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NVTR01P02LT1G
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2N7002ET3G
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