casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FCD1300N80Z
codice articolo del costruttore | FCD1300N80Z |
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Numero di parte futuro | FT-FCD1300N80Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperFET® II |
FCD1300N80Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 Ohm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 400µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 880pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 52W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCD1300N80Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FCD1300N80Z-FT |
RFD3055LESM9A
ON Semiconductor
IRFR15N20DTRPBF
Infineon Technologies
IRFR220NTRPBF
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IRFR3411TRPBF
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IRFR3504ZTRPBF
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IRLR3705ZTRPBF
Infineon Technologies
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
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EP2AGX125DF25I3N
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XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
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EP4SGX230HF35I4N
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