casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / F450R07W1H3B11ABOMA1
codice articolo del costruttore | F450R07W1H3B11ABOMA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-F450R07W1H3B11ABOMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
F450R07W1H3B11ABOMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Potenza - Max | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | - |
Ingresso | - |
Termistore NTC | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
F450R07W1H3B11ABOMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | F450R07W1H3B11ABOMA1-FT |
F4200R17N3E4BPSA1
Infineon Technologies
F575R06KE3B5BOSA1
Infineon Technologies
FP100R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP100R07N3E4B11BOSA1
Infineon Technologies
FP100R07N3E4BOSA1
Infineon Technologies
FP100R12KT4B11BOSA1
Infineon Technologies
FP100R12KT4PB11BPSA1
Infineon Technologies
FP100R12KT4PBPSA1
Infineon Technologies
FP150R07N3E4B11BOSA1
Infineon Technologies
FP150R07N3E4BOSA1
Infineon Technologies
XC6SLX9-2FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P250-VQ100
Microsemi Corporation
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC2VP30-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A100T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
XA7A15T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2PQ100I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA5H4F35I3N
Intel
10AX016E4F27E3SG
Intel