casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FP150R07N3E4BOSA1
codice articolo del costruttore | FP150R07N3E4BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FP150R07N3E4BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FP150R07N3E4BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 150A |
Potenza - Max | 430W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 150A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 9.3nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FP150R07N3E4BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FP150R07N3E4BOSA1-FT |
FP35R12W2T4PBPSA1
Infineon Technologies
DDB6U84N16RRBOSA1
Infineon Technologies
DDB6U134N16RRBOSA1
Infineon Technologies
BSM50GP120BOSA1
Infineon Technologies
BSM100GB60DLCHOSA1
Infineon Technologies
GHIS040A120S-A2
Global Power Technologies Group
GHIS040A060S-A1
Global Power Technologies Group
GHIS060A120S-A1
Global Power Technologies Group
GHIS080A060S-A1
Global Power Technologies Group
GHIS040A120S-A1
Global Power Technologies Group
A40MX02-2VQG80I
Microsemi Corporation
XA2S150E-6FT256I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3C40U484I7
Intel
5SGXEA7N1F40C2
Intel
10CX220YF672E5G
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
XC2V1500-4FFG896I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U4F45I3SGE2
Intel