casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / F1T2G R0G
codice articolo del costruttore | F1T2G R0G |
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Numero di parte futuro | FT-F1T2G R0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
F1T2G R0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | T-18, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | TS-1 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
F1T2G R0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | F1T2G R0G-FT |
EM 1ZV
Sanken
EM 1ZV0
Sanken
EM 2
Sanken
EM 2A
Sanken
EM 2AV
Sanken
EM 2AV0
Sanken
EM 2B
Sanken
EM 2BV
Sanken
EM 2BV0
Sanken
EM 2V
Sanken
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel