codice articolo del costruttore | EM 2V |
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Numero di parte futuro | FT-EM 2V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EM 2V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 1.2A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EM 2V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EM 2V-FT |
D2650N24TVFXPSA1
Infineon Technologies
D4810N22TVFXPSA1
Infineon Technologies
D4810N28TVFXPSA1
Infineon Technologies
D5810N04TVFXPSA1
Infineon Technologies
D5810N06TVFXPSA1
Infineon Technologies
D650N02TXPSA1
Infineon Technologies
D650N06TXPSA1
Infineon Technologies
D690S20TXPSA1
Infineon Technologies
D690S26TXPSA1
Infineon Technologies
D740N44TXPSA1
Infineon Technologies
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel