codice articolo del costruttore | EM 2B |
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Numero di parte futuro | FT-EM 2B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EM 2B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 1.2A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EM 2B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EM 2B-FT |
D2450N06TXPSA1
Infineon Technologies
D2450N07TXPSA1
Infineon Technologies
D2520N22TVFXPSA1
Infineon Technologies
D2650N24TVFXPSA1
Infineon Technologies
D4810N22TVFXPSA1
Infineon Technologies
D4810N28TVFXPSA1
Infineon Technologies
D5810N04TVFXPSA1
Infineon Technologies
D5810N06TVFXPSA1
Infineon Technologies
D650N02TXPSA1
Infineon Technologies
D650N06TXPSA1
Infineon Technologies
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel