casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ESH3CHE3_A/I
codice articolo del costruttore | ESH3CHE3_A/I |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-ESH3CHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
ESH3CHE3_A/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 40ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | 70pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESH3CHE3_A/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ESH3CHE3_A/I-FT |
SS35-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS35-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS36-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS36-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS36-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H10-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H10HE3_B/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H9-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H9-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H9-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel