casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS36-E3/9AT
codice articolo del costruttore | SS36-E3/9AT |
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Numero di parte futuro | FT-SS36-E3/9AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SS36-E3/9AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS36-E3/9AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS36-E3/9AT-FT |
RS3D-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3D-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3D-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3G-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3G-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3G-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel