casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS36-M3/9AT
codice articolo del costruttore | SS36-M3/9AT |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SS36-M3/9AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SS36-M3/9AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS36-M3/9AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS36-M3/9AT-FT |
RS3D-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3G-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3G-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3G-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3J-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3J-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4CSG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
Intel
EP4CE115F23C9L
Intel
EP3SE80F1152C3
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel