casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ESH1B M2G
codice articolo del costruttore | ESH1B M2G |
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Numero di parte futuro | FT-ESH1B M2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ESH1B M2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 15ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESH1B M2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ESH1B M2G-FT |
S1G M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1J M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1K R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1KHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1M M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1MHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3BQI
Microchip Technology
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
A3PE600-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M04SCE144C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.