casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S1J M2G
codice articolo del costruttore | S1J M2G |
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Numero di parte futuro | FT-S1J M2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1J M2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1J M2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1J M2G-FT |
SK215A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK34A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK36A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSSA5U50 E3G
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG21M R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1B R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2GA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2HA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1B R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1J R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel