casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES2LGHM4G
codice articolo del costruttore | ES2LGHM4G |
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Numero di parte futuro | FT-ES2LGHM4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
ES2LGHM4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES2LGHM4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES2LGHM4G-FT |
ES3FBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3FBHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3FHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3FHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3JHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR305SHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR305SHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR310SHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR310SHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR315SHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
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EP1SGX40GF1020C6
Intel