casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES3JHM6G
codice articolo del costruttore | ES3JHM6G |
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Numero di parte futuro | FT-ES3JHM6G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
ES3JHM6G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES3JHM6G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES3JHM6G-FT |
HS3K V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3KB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS5A R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS5A V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS5B V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS5D V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS5J R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS5J V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS5K V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS5M R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel