casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES3FBHR5G
codice articolo del costruttore | ES3FBHR5G |
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Numero di parte futuro | FT-ES3FBHR5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
ES3FBHR5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.13V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 300V |
Capacità @ Vr, F | 41pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES3FBHR5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES3FBHR5G-FT |
HS3DB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3G R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3G V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3K V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3KB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS5A R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS5A V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS5B V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS5D V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS5J R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel