casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES2G-M3/52T
codice articolo del costruttore | ES2G-M3/52T |
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Numero di parte futuro | FT-ES2G-M3/52T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES2G-M3/52T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES2G-M3/52T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES2G-M3/52T-FT |
SS1H9HE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H9HE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H9HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H9HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS22SHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS22SHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS23SHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS23SHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24SHE3J_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24SHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XCV300E-7FG256I
Xilinx Inc.
EP20K300EBC672-2X
Intel
EPF10K200SFC484-2X
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
APA075-TQG100
Microsemi Corporation
LFEC15E-4FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29I3LG
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel