casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES2B M4G
codice articolo del costruttore | ES2B M4G |
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Numero di parte futuro | FT-ES2B M4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES2B M4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES2B M4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES2B M4G-FT |
MUR110S R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR110SHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR110SHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR115S M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR115S R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR115SHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR115SHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR120S M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR120SHM4G
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MUR120SHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC7A50T-L1CSG325I
Xilinx Inc.
APA600-CGS624M
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-2FGG484
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3DQC
Microchip Technology
A42MX24-PL84M
Microsemi Corporation
AGL250V2-FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780C6N
Intel
EPF10K30RC240-3
Intel
EP20K400ERC208-3
Intel