casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MUR115SHM4G
codice articolo del costruttore | MUR115SHM4G |
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Numero di parte futuro | FT-MUR115SHM4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MUR115SHM4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR115SHM4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUR115SHM4G-FT |
SK83CHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK83CHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK85CHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK86CHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS310HM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS315HM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS320HM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS320HR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS32HM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS32HR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel