casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MUR110S R5G
codice articolo del costruttore | MUR110S R5G |
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Numero di parte futuro | FT-MUR110S R5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUR110S R5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR110S R5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUR110S R5G-FT |
SK59CHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK59CHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK810CHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK82CHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK82CHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK83CHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK83CHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK85CHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK86CHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS310HM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel