casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MUR110S R5G
codice articolo del costruttore | MUR110S R5G |
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Numero di parte futuro | FT-MUR110S R5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUR110S R5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR110S R5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUR110S R5G-FT |
SK59CHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK59CHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK810CHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK82CHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK82CHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK83CHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK83CHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK85CHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK86CHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS310HM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel