casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MUR110S R5G
codice articolo del costruttore | MUR110S R5G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MUR110S R5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUR110S R5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR110S R5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUR110S R5G-FT |
SK59CHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK59CHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK810CHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK82CHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK82CHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK83CHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK83CHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK85CHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK86CHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS310HM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel