casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SB2J-M3/52T
codice articolo del costruttore | SB2J-M3/52T |
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Numero di parte futuro | FT-SB2J-M3/52T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SB2J-M3/52T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 2A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SB2J-M3/52T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SB2J-M3/52T-FT |
MURS360S-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2B-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2D-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2M-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2MHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSB410S-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2A-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS210-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel