casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SB2M-M3/52T
codice articolo del costruttore | SB2M-M3/52T |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SB2M-M3/52T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SB2M-M3/52T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 2A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SB2M-M3/52T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SB2M-M3/52T-FT |
S2MHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSB410S-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2A-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS210-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS22-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS29-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2AHM3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH2DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S50-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S500E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S200-5FG456I
Xilinx Inc.
M2GL025T-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC672-1
Intel
5SGXEB5R2F43C2L
Intel
XC4044XL-1HQ208C
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation