casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES1LGHR3G
codice articolo del costruttore | ES1LGHR3G |
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Numero di parte futuro | FT-ES1LGHR3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
ES1LGHR3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 18pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1LGHR3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES1LGHR3G-FT |
ES2JA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1M R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1M R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1M R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1G R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1J R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1J R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2GA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel