casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES2JA R3G
codice articolo del costruttore | ES2JA R3G |
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Numero di parte futuro | FT-ES2JA R3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES2JA R3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES2JA R3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES2JA R3G-FT |
S1ALHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1ALHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BLHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel