casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S1J R3G
codice articolo del costruttore | S1J R3G |
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Numero di parte futuro | FT-S1J R3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1J R3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1J R3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1J R3G-FT |
S1DL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DLHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DLHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GLHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel