casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES1LGHM2G
codice articolo del costruttore | ES1LGHM2G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-ES1LGHM2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
ES1LGHM2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 18pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1LGHM2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES1LGHM2G-FT |
SS14 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2JA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1M R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1M R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1M R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1G R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1J R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1J R3G
Taiwan Semiconductor Corporation