casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES1BHE3_A/H
codice articolo del costruttore | ES1BHE3_A/H |
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Numero di parte futuro | FT-ES1BHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
ES1BHE3_A/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1BHE3_A/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES1BHE3_A/H-FT |
BYG23M-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1M-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1M-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1D-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS14-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21M-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15MQ040NTRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23T-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23M-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1JHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQ80M
Microsemi Corporation
XC4010XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
A40MX04-3PL68
Microsemi Corporation
APA600-FG676
Microsemi Corporation
A40MX02-1PQ100
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3LG
Intel