casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / EPC2102ENGRT
codice articolo del costruttore | EPC2102ENGRT |
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Numero di parte futuro | FT-EPC2102ENGRT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eGaN® |
EPC2102ENGRT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caratteristica FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 23A (Tj) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 20A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 7mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 830pF @ 30V |
Potenza - Max | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Die |
Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EPC2102ENGRT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EPC2102ENGRT-FT |
IPG20N06S2L50ATMA1
Infineon Technologies
IPG20N06S3L-23
Infineon Technologies
IPG20N06S3L-35
Infineon Technologies
IPG20N06S415ATMA1
Infineon Technologies
IPG20N06S415ATMA2
Infineon Technologies
IPG20N06S4L11ATMA1
Infineon Technologies
IPG20N06S4L14ATMA1
Infineon Technologies
IPG20N06S4L14ATMA2
Infineon Technologies
IPG20N10S4L22ATMA1
Infineon Technologies
IPG20N10S4L35ATMA1
Infineon Technologies
XC3S1400A-5FG676C
Xilinx Inc.
APA1000-FG896A
Microsemi Corporation
A3PE3000-1FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N3F45I3LN
Intel
XC4010XL-3PC84I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA5G4F31I5N
Intel
EP4SGX110DF29I3
Intel
EP3CLS200F780C7N
Intel
EP20K400CB652I8ES
Intel