casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQPF9P25YDTU
codice articolo del costruttore | FQPF9P25YDTU |
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Numero di parte futuro | FT-FQPF9P25YDTU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQPF9P25YDTU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1180pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 50W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F-3 (Y-Forming) |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQPF9P25YDTU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQPF9P25YDTU-FT |
FQI5N40TU
ON Semiconductor
FQI5N50CTU
ON Semiconductor
FQI5N80TU
ON Semiconductor
FQI5P10TU
ON Semiconductor
FQI6N15TU
ON Semiconductor
FQI6N40CTU
ON Semiconductor
FQI6N50TU
ON Semiconductor
FQI6N60CTU
ON Semiconductor
FQI7N10LTU
ON Semiconductor
FQI7N10TU
ON Semiconductor
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
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AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel