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ON Semiconductor FQPF8N80CYDTU

Name: FQPF8N80CYDTU
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQPF8N80CYDTU
Price: 1.976 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (416 reviews)

Numero parte MFG: FQPF8N80CYDTU

quantità disponibile: 57260 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.976

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: QFET® MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FQPF8N80CYDTU.pdf

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FQPF8N80CYDTU specificazioni

codice articolo del costruttore	FQPF8N80CYDTU
Numero di parte futuro	FT-FQPF8N80CYDTU
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	QFET®
FQPF8N80CYDTU Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.55 Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2050pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	59W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220F-3 (Y-Forming)
Pacchetto / caso	TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQPF8N80CYDTU Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FQPF8N80CYDTU-FT

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