casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / EMH2801-TL-H
codice articolo del costruttore | EMH2801-TL-H |
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Numero di parte futuro | FT-EMH2801-TL-H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMH2801-TL-H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 320pF @ 10V |
Caratteristica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-EMH |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMH2801-TL-H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EMH2801-TL-H-FT |
NTBV45N06LT4G
ON Semiconductor
NTBV45N06T4G
ON Semiconductor
NTBV5605T4G
ON Semiconductor
NTBV75N06T4G
ON Semiconductor
NVB25P06T4G
ON Semiconductor
NVB5405NT4G
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
NVB5860NLT4G
ON Semiconductor
NVB5860NT4G
ON Semiconductor
NVB60N06T4G
ON Semiconductor
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
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5SGSED8K3F40I4N
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