casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / EGP30C-E3/73
codice articolo del costruttore | EGP30C-E3/73 |
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Numero di parte futuro | FT-EGP30C-E3/73 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
EGP30C-E3/73 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AA, DO-27, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | GP20 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EGP30C-E3/73 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EGP30C-E3/73-FT |
1N6479-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6479HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6479HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6480-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6480HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6480HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6481-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6481HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6481HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6482-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL090-1FCSG325
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
XC7VX330T-2FFV1761C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1155C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC7K410T-3FFG676E
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation