casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N6479HE3/96
codice articolo del costruttore | 1N6479HE3/96 |
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Numero di parte futuro | FT-1N6479HE3/96 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
1N6479HE3/96 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AB, MELF (Glass) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6479HE3/96 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N6479HE3/96-FT |
EGL41G-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL41G-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL41A-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM10-400-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM10-100-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL41M-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-200-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41J-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41M-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
TMBYV10-40FILM
STMicroelectronics
XCS20XL-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-1FG144
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
ICE40HX4K-BG121
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP3C25U256C7
Intel
5SGSMD5H2F35I2LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation