casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N6481-E3/97
codice articolo del costruttore | 1N6481-E3/97 |
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Numero di parte futuro | FT-1N6481-E3/97 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
1N6481-E3/97 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AB, MELF (Glass) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6481-E3/97 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N6481-E3/97-FT |
GL41M-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-200-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41J-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41M-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
TMBYV10-40FILM
STMicroelectronics
1N6482-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41D-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-600-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41J-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6481-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel