casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / EGP30C-E3/54
codice articolo del costruttore | EGP30C-E3/54 |
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Numero di parte futuro | FT-EGP30C-E3/54 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
EGP30C-E3/54 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AA, DO-27, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | GP20 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EGP30C-E3/54 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EGP30C-E3/54-FT |
1N6479-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6479-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6479HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6479HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6480-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6480HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6480HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6481-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6481HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6481HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV1600E-7FG900C
Xilinx Inc.
A54SX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C6N
Intel
XC6VHX380T-2FFG1923I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160
Microsemi Corporation
LFEC10E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EP20K200EQC240-2X
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel