casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / EFC6612R-TF
codice articolo del costruttore | EFC6612R-TF |
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Numero di parte futuro | FT-EFC6612R-TF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EFC6612R-TF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Caratteristica FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 2.5W |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-SMD, No Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-CSP (1.77x3.54) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EFC6612R-TF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EFC6612R-TF-FT |
UT6J3TCR
Rohm Semiconductor
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HP8KA1TB
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