casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / EDFA232A2MA-GD-F-R TR

| codice articolo del costruttore | EDFA232A2MA-GD-F-R TR |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-EDFA232A2MA-GD-F-R TR |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| EDFA232A2MA-GD-F-R TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato di memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
| Dimensione della memoria | 16Gb (512M x 32) |
| Frequenza di clock | 800MHz |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.95V |
| temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| EDFA232A2MA-GD-F-R TR Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | EDFA232A2MA-GD-F-R TR-FT |

ECF620AAACN-C2-Y3-ES
Micron Technology Inc.

ECF840AAACN-C1-Y3
Micron Technology Inc.

ECF840AAACN-C2-Y3
Micron Technology Inc.

ECY4008AACS-Y3
Micron Technology Inc.

EDB130ABDBH-1D-F-D
Micron Technology Inc.

EDB4064B3PD-8D-F-D
Micron Technology Inc.

EDB4064B3PP-1D-F-D
Micron Technology Inc.

EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR
Micron Technology Inc.

EDB4416BBBH-1DIT-F-D
Micron Technology Inc.

EDB4416BBBH-1DIT-F-R
Micron Technology Inc.

M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation

AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation

AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation

5SGXEA7N2F40C3N
Intel

5CGXFC4F6M11C7N
Intel

5SGXEB6R3F43C3
Intel

EP4SGX360KF43I4
Intel

XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.

LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation

EP20K400EBC652-2X
Intel