casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR
codice articolo del costruttore | EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Dimensione della memoria | 4Gb (64M x 64) |
Frequenza di clock | 533MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR-FT |
DS1201
Maxim Integrated
DS1201+C02
Maxim Integrated
DS1201N
Maxim Integrated
DS1220Y-120+
Maxim Integrated
DS1245BL-100
Maxim Integrated
DS1245BL-70
Maxim Integrated
DS1245BL-70IND
Maxim Integrated
DS1245X-70+
Maxim Integrated
DS1245X-70IND+
Maxim Integrated
DS1245XP-70+
Maxim Integrated
XA6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F484I6N
Intel
5SEE9F45C2LN
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF29I3
Intel
5SGSMD4H3F35I4N
Intel
EPF6016AFC100-1
Intel