casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / ECF840AAACN-C1-Y3
codice articolo del costruttore | ECF840AAACN-C1-Y3 |
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Numero di parte futuro | FT-ECF840AAACN-C1-Y3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ECF840AAACN-C1-Y3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Dimensione della memoria | 8Gb (512M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ECF840AAACN-C1-Y3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ECF840AAACN-C1-Y3-FT |
CY7C197BN-15VC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C245A-18WMB
Cypress Semiconductor Corp
CYD02S36VA-167BBXC
Cypress Semiconductor Corp
CYD09S36V18-WW14
Cypress Semiconductor Corp
DC0232A-D
Micron Technology Inc.
DS1200
Maxim Integrated
DS1201
Maxim Integrated
DS1201+C02
Maxim Integrated
DS1201N
Maxim Integrated
DS1220Y-120+
Maxim Integrated
XC2V250-6FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208
Microsemi Corporation
A42MX24-FPQG208
Microsemi Corporation
EP1K10TI100-2
Intel
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC7K325T-3FFG900E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
Intel