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Micron Technology Inc. ECF840AAACN-C1-Y3
- Numero parte MFG
- ECF840AAACN-C1-Y3
- quantità disponibile
- 79630 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0
- Il nostro prezzo
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- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Micron Technology Inc.
- Breve descrizione
- - IC DRAM 8G PARALLEL
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Memoria
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- ECF840AAACN-C1-Y3.pdf
ECF840AAACN-C1-Y3 specificazioni
| codice articolo del costruttore | ECF840AAACN-C1-Y3 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-ECF840AAACN-C1-Y3 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| ECF840AAACN-C1-Y3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato di memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
| Dimensione della memoria | 8Gb (512M x 16) |
| Frequenza di clock | - |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.95V |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| ECF840AAACN-C1-Y3 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | ECF840AAACN-C1-Y3-FT |
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