casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / ECH8651R-TL-H
codice articolo del costruttore | ECH8651R-TL-H |
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Numero di parte futuro | FT-ECH8651R-TL-H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ECH8651R-TL-H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 24V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 1.5W |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-ECH |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ECH8651R-TL-H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ECH8651R-TL-H-FT |
CSD86336Q3DT
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LCMXO2-7000HC-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
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Microsemi Corporation
XC6SLX25-3FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-N3FG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX36-3BGG272I
Microsemi Corporation
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EP4CE10E22C7N
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5SGXMA5K1F35C1N
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