casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / ECH8619-TL-E
codice articolo del costruttore | ECH8619-TL-E |
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Numero di parte futuro | FT-ECH8619-TL-E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ECH8619-TL-E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A, 2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 93 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.8nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 20V |
Potenza - Max | 1.5W |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-ECH |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ECH8619-TL-E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ECH8619-TL-E-FT |
CSD86360Q5D
Texas Instruments
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XC6SLX25-3FT256I
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XC6SLX100T-N3FG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX36-3BGG272I
Microsemi Corporation
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