casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / DVR1V8W-7
codice articolo del costruttore | DVR1V8W-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DVR1V8W-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DVR1V8W-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN + Zener Diode (Isolated) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 18V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 30mA, 300mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 100mA, 1V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DVR1V8W-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DVR1V8W-7-FT |
AC847BWQ-13
Diodes Incorporated
BC858CW-7-F
Diodes Incorporated
MMST3904Q-7-F
Diodes Incorporated
BC858AW-7-F
Diodes Incorporated
BC858BW-7-F
Diodes Incorporated
MMST4126-7-F
Diodes Incorporated
ZUMT618TA
Diodes Incorporated
MMST5551-7-F
Diodes Incorporated
AC847BWQ-7
Diodes Incorporated
MMST2907AQ-7
Diodes Incorporated
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F672C7N
Intel
EP3C5U256C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2N
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
Intel
EP1C4F400I7N
Intel