casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / DVR1V8W-7

| codice articolo del costruttore | DVR1V8W-7 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-DVR1V8W-7 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| DVR1V8W-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Transistor Type | NPN + Zener Diode (Isolated) |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 18V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 30mA, 300mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 100mA, 1V |
| Potenza - Max | 200mW |
| Frequenza - Transizione | 100MHz |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| DVR1V8W-7 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | DVR1V8W-7-FT |

AC847BWQ-13
Diodes Incorporated

BC858CW-7-F
Diodes Incorporated

MMST3904Q-7-F
Diodes Incorporated

BC858AW-7-F
Diodes Incorporated

BC858BW-7-F
Diodes Incorporated

MMST4126-7-F
Diodes Incorporated

ZUMT618TA
Diodes Incorporated

MMST5551-7-F
Diodes Incorporated

AC847BWQ-7
Diodes Incorporated

MMST2907AQ-7
Diodes Incorporated

EPF10K20TC144-4N
Intel

XC4003E-4PQ100C
Xilinx Inc.

A3P250-1PQG208
Microsemi Corporation

EP4CE6F17C9L
Intel

5SGSED8N2F45I3LN
Intel

XA7A15T-1CPG236Q
Xilinx Inc.

AGL250V2-FG144T
Microsemi Corporation

LCMXO2-2000HC-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation

10AX066N2F40E2LG
Intel