casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BC858BW-7-F
codice articolo del costruttore | BC858BW-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-BC858BW-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC858BW-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC858BW-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC858BW-7-F-FT |
FMMTL618TC
Diodes Incorporated
FMMTL619TC
Diodes Incorporated
FMMTL717TC
Diodes Incorporated
FMMTL718TC
Diodes Incorporated
FMMTL720TA
Diodes Incorporated
FMMTL720TC
Diodes Incorporated
MMBT2222A-7
Diodes Incorporated
MMBT2907A-7
Diodes Incorporated
MMBT3904-13
Diodes Incorporated
MMBT3904-7
Diodes Incorporated
XC6SLX100-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P1000-2PQG208
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45C2LN
Intel
5SGXMABK3H40C2LN
Intel
EP1AGX60EF1152I6N
Intel
EP3SL200F1152I4N
Intel
XC7K325T-2FFG900I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34E1SG
Intel
EP4SGX180FF35C2X
Intel